[发明专利]OPC模型建立过程中针对大尺寸非关键层图形的光学参数优化方法有效
申请号: | 201910382467.X | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN110209011B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 魏娟 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种OPC模型建立过程中针对大尺寸非关键层图形的光学参数优化方法,包括:收取最佳曝光条件下的CDSEM数据;初选离胶起始位置的初始值和光束焦点的初始值;构建离胶起始位置‑光束焦点的所有初始值组合;对每个离胶起始位置‑光束焦点的初始值组合进行复选,在每个离胶起始位置‑光束焦点的初始值组合中确定一个离胶起始位置‑光束焦点的最佳值组合;对所有的离胶起始位置‑光束焦点的最佳值组合进行分析比对,从中确定最终的离胶起始位置‑光束焦点组合。本发明在不需要收集工艺窗口条件下的CDSEM数据的前提下,可以对离胶起始位置和光束焦点进行快速高效的筛选和组合,而且可以同时获得多个离胶起始位置‑光束焦点组合,提供更多选择。 | ||
搜索关键词: | opc 模型 建立 过程 针对 尺寸 关键 图形 光学 参数 优化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种OPC模型建立过程中针对大尺寸非关键层图形的光学参数优化方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1,收取最佳曝光条件下的CDSEM数据;步骤S2,初选离胶起始位置的初始值和光束焦点的初始值;步骤S3,构建离胶起始位置‑光束焦点的所有初始值组合;步骤S4,对每个离胶起始位置‑光束焦点的初始值组合进行复选,在每个离胶起始位置‑光束焦点的初始值组合中确定一个离胶起始位置‑光束焦点的最佳值组合;步骤S5,对所有的离胶起始位置‑光束焦点的最佳值组合进行分析比对,从中确定最终的离胶起始位置‑光束焦点组合。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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