[发明专利]n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法有效
| 申请号： | 201910382491.3 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110061046B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 殷红;刘彩云;李宇婧;高伟 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/24;H01L21/02;H01L21/34;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春市恒誉专利代理事务所(普通合伙) 22212 | 代理人： | 李荣武 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅衬底上制备n型硼碳氮薄膜；然后在n型硼碳氮薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过控制磁控溅射的生长参数，得到包含柱状氮化硼纳米晶的n型硼碳氮导电层，其纳米晶取向可控；获得了整流特性良好的n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 型硼碳氮 薄膜 单晶硅 pn 原型 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件，其特征在于，包括n型硼碳氮薄膜层和p型单晶硅层，所述硼碳氮薄膜层与单晶硅层之间形成异质结，硼碳氮薄膜层是磁控溅射含碳的六角氮化硼靶形成的n型半导体硼碳氮材料。
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