[发明专利]在半导体器件中形成跳跃通孔结构的方法和半导体器件

摘要

包含跳跃通孔结构的半导体器件以及形成跳跃通孔结构的方法包含在由至少一个其他互连层级分离的两个互连层级之间的互连件，即跳跃通孔，以连接Mx和Mx+2互连层级，其中介于中间的金属化层级(Mx+1)的部分位于跳跃通孔的路径中。

主权项

1.一种在半导体器件中形成跳跃通孔结构的方法，所述方法包括：/n形成第一互连层级(Mx)，其包括在包含一个或多个半导体器件的基板上沉积第一电介质层，在所述第一电介质层中形成至少一个第一金属导体，其中所述至少一个金属导体和所述第一电介质具有共面表面，以及在所述共面表面上沉积第一覆盖层；/n形成第二互连层级(Mx+1)，其包括在所述第一覆盖层上沉积第二电介质层，在所述第二电介质层中形成至少一个第二金属导体，其中所述第二金属导体包括其顶部表面上的第二覆盖层以及共同地包封所述第二金属导体的衬垫层；/n形成第三互连层级(Mx+2)，其包括在所述第二互连层级上沉积第三电介质层；/n在所述第二电介质层和第三电介质层中形成到所述第一金属导体的通孔开口，其中所述通孔开口暴露所述第二覆盖层的部分、所述第二金属导体的侧壁以及所述第一覆盖层的部分；/n在所述通孔开口的底部处移除所述第一覆盖层，以暴露所述第一金属导体的表面；/n在包含所述第二金属导体的侧壁的所述通孔开口的侧壁上沉积间隔体层；以及/n用金属导体填充所述通孔开口，其中在所述第二互连层级中的所述第二金属导体与从所述第三互连层级延伸到所述第一互连层级的所述第一金属导体的填充的通孔开口电隔离，并且其中所述第一覆盖层和第二覆盖层具有不同的蚀刻选择性。/n