[发明专利]一种锂/钠/钾离子电池用中空V3

摘要

本发明属于纳米复合材料技术领域，尤其涉及制备V3S4@C纳米片组装为中空管结构的合成方法。本发明通过水热反应技术制备前驱体MIL‑47(BDC)n+，然后通过高温气相硫化技术合成V3S4@C纳米中空管。其方法为:取钒源，十六烷基三甲基溴化铵,抗坏血酸,对苯二甲酸，加入水中搅拌后，水热处理，形成带有前驱体的混合溶液，然后将该混合溶液抽滤再烘干形成黄绿色粉末，加入硫代乙酰胺，在管式炉中进行气相硫化，生成中空管状的V3S4@C纳米复合材料。本发明的制备方法简单，成本低，污染少，该方法为制备中空管状V3S4@C纳米复合材料提供了一种新策略。

主权项

1.一种锂/钠/钾离子电池用中空V₃S₄@C纳米管负极材料的制备方法，其特征在于，采用以下步骤：（1）取钒源，对苯二甲酸（BDC），抗坏血酸，十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)加入水中，搅拌溶解后加入对苯二甲酸，继续搅拌得到A溶液；（2）取A溶液进行水热反应，生成过量BDC嵌入的MIL‑47(BDC) _n+前驱体混合溶液；（3）将步骤（2）制备的混合溶液进行分离，清洗，烘干得MIL‑47(BDC)_n+前驱体；（4）将步骤（3）制备的MIL‑47(BDC) _n+前驱体与硫代乙酰胺分别进行气相硫化处理，得到纳米中空管结构的V₃S₄@C纳米复合材料。