[发明专利]一种薄膜电阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910383849.4 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110335730B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杨俊锋;庄彤;丁明建;刘宇鹏;赖辉信 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C7/18;H01C1/012;H01C1/14;H01C17/12;H01C17/28 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 李唐明 |
| 地址： | 511453 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及电阻元件技术领域，尤其涉及一种薄膜电阻器及其制备方法。本发明提供的薄膜电阻器，包括基板、薄膜电阻层和电极层；所述薄膜电阻层包括NbN薄膜层和TaN薄膜层；所述NbN薄膜层与基板接触，所述TaN薄膜层与电极层接触。本发明所述的薄膜电阻层通过将NbN薄膜和TaN薄膜复合，可以显著提高氮化钽电阻材料的功率密度；根据实施例的记载，本发明所述的薄膜电阻器的功率密度可达到12.2～17.6W/mm |
||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电阻器，其特征在于，包括基板、薄膜电阻层和电极层；所述薄膜电阻层包括NbN薄膜层和TaN薄膜层；所述NbN薄膜层与基板接触，所述TaN薄膜层与电极层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州天极电子科技股份有限公司，未经广州天极电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910383849.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
