[发明专利]使用两个源极测量单元的设备测量在审
| 申请号： | 201910384079.5 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110488171A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | A.N.普罗宁;M.A.图普塔 | 申请（专利权）人： | 基思利仪器有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张健;申屠伟进<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种测试环境包括：第一测量单元，连接到MOSFET设备的栅极；以及第二测量单元，连接到所述MOSFET设备的漏极。所述测试环境对于测试针对MOSFET设备的栅极电荷而言特别有用。在第一阶段中，利用电流驱动设备的栅极，同时利用恒定电压驱动漏极。随着所述MOSFET设备接通，所述第二测量单元从提供所述恒定电压切换到提供恒定电流到MOSFET的漏极，同时测量漏电压。模式的切换是自动的，且在没有用户干预的情况下发生。在所述MOSFET设备已经被栅电流驱动到VgsMax之后，所有相关数据被存储，可以分析该所有相关数据并在用户界面中将该所有相关数据呈现给用户，或者以其他方式呈现该所有相关数据。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 测试环境 第二测量 恒定电压 电流驱动设备 驱动 第一测量 恒定电流 设备接通 数据呈现 用户干预 用户界面 栅极电荷 漏电压 栅电流 测量 存储 测试 分析 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试MOSFET设备的一个或多个值的测试系统，所述测试系统包括：/n第一源极测量单元，连接到所述MOSFET设备的栅极，且被编程成将预定电流驱动到所述MOSFET设备的栅极；以及/n第二源极测量单元，连接到所述MOSFET设备的漏极，所述第二源极测量单元被配置成：/n将预定电压驱动到所述MOSFET设备的漏极，/n测量所述MOSFET设备的漏极的电流，/n检测漏电流是否超过依从性电流，以及/n随时间测量所述MOSFET设备的漏电压。/n
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