[发明专利]基于碳化硅MOSFET的单相双推挽升压电路及升压方法在审
| 申请号： | 201910384566.1 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110086354A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘晓杰;张婧婕;张旻;贾子彦;刘超;薛波;罗印升;吴全玉;宋伟;俞洋;崔渊 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H02M3/337 | 分类号： | H02M3/337;H02M1/34 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 滕诣迪 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳化硅MOSFET的单相双推挽升压电路及升压方法，前级采用推挽升压电路并用模拟推挽控制电路进行控制，后级采用全桥整流电路；推挽式电路使用两个开关管，并将其连接成推挽功率放大器，两个推挽变压器初级并联，次级串联；变换电路在控制电路PWM波信号的驱动下，两个开关管不断交替通断，将直流输入电压变换成交流高频脉冲电压，再经整流滤波将脉冲交流变成直流高压；本设计具有低损耗、效率高、安全性高、电路简单、电磁干扰小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 推挽 升压电路 碳化硅MOSFET 升压 控制电路 开关管 推挽功率放大器 全桥整流电路 直流输入电压 推挽变压器 变换电路 初级并联 次级串联 电磁干扰 电路使用 交流高频 交替通断 脉冲电压 脉冲交流 整流滤波 直流高压 低损耗 推挽式 前级 电路 并用 驱动 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳化硅MOSFET的单相双推挽升压电路，其特征在于：前级采用推挽升压电路并用模拟推挽控制电路进行控制，后级采用全桥整流电路；推挽式电路使用两个开关管，并将其连接成推挽功率放大器，两个推挽变压器初级并联，次级串联；变换电路在控制电路PWM波信号的驱动下，两个开关管不断交替通断，将直流输入电压变换成交流高频脉冲电压，再经整流滤波将脉冲交流变成直流高压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏理工学院，未经江苏理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910384566.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
