[发明专利]多次编程的非挥发性存储器有效
| 申请号： | 201910384579.9 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110649029B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 罗俊元;王世辰;景文澔;陈志欣;陈纬仁 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多次编程的非挥发性存储器，其包括：一选择晶体管、一浮动栅晶体管与一抹除栅元件。选择晶体管连接至一选择线与一源极线。浮动栅晶体管具有一浮动栅极，且浮动栅晶体管连接至选择晶体管。抹除栅元件，具有该浮动栅极、一栅极氧化层以及一p型区。该抹除栅元件连接至抹除线，且该抹除栅元件的该浮动栅极中至少包括一部分的n型浮动栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 编程 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种多次编程的非挥发性存储器，其特征在于，该多次编程的非挥发性存储器包括：/n选择晶体管，具有栅极连接至选择线，第一源/漏端连接至源极线以及第二源/漏端；/n浮动栅晶体管，具有浮动栅极，第一源/漏端连接至该选择晶体管的该第二源/漏端，以及第二源/漏端；以及/n抹除栅元件，具有该浮动栅极、栅极氧化层以及p型区，其中该抹除栅元件连接至抹除线，且该抹除栅元件的该浮动栅极中至少包括一部分的n型浮动栅极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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