[发明专利]半导体制程的方法在审
| 申请号： | 201910385287.7 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110544720A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘书豪;陈国儒;吴濬宏;陈佳政;陈亮吟;张惠政;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/324;H01L21/265 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩旭;黄艳<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体制程的方法。此处所述的实施例一般关于形成超浅接面于p型源极/漏极区中，且超浅接面具有高掺质浓度与低接点电阻。在一实施例中，方法包括形成源极/漏极区于基板上的主动区中，且源极/漏极区包含锗；进行采用镓的离子布植制程，以形成非晶区于源极/漏极区中；进行采用掺质的离子布植制程至非晶区中；以及对非晶区进行热制程。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极区 非晶区 制程 布植 掺质 接面 离子 半导体制程 接点电阻 漏极区 主动区 基板 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制程的方法，包括：/n形成一源极/漏极区于一基板上的一主动区中，且该源极/漏极区包含锗；/n进行采用镓的离子布植制程，以形成一非晶区于该源极/漏极区中；/n进行采用掺质的离子布植制程至该非晶区中；以及/n对该非晶区进行一热制程。/n
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