[发明专利]一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201910386725.1 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110255620B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 赵九蓬;王亚蕾;郑远川;李垚 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01G41/02 | 分类号： | C01G41/02;B82Y40/00;C03C17/34 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法，它涉及一种钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有方法难以制备二维钨基纳米片液晶的问题。二维钨基纳米片液晶的制备方法：一、制备质子交换反应后的层状材料；二、制备插层反应后的层状材料；三、机械剥离，得到二维钨基纳米片液晶。利用旋涂仪将二维钨基纳米片液晶旋涂到氧化铟锡导电玻璃上，再置于干燥箱中干燥，得到钨基纳米片电致变色薄膜材料。本发明可获得一种二维钨基纳米片液晶及钨基纳米片电致变色薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 纳米 液晶 制备 方法 利用 片电致 变色 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1.一种二维钨基纳米片液晶的制备方法，其特征在于一种二维钨基纳米片液晶的制备方法是按以下步骤完成的：一、将层状氧化钨铯加入到质子酸中进行质子交换反应，再使用去离子水为清洗剂离心清洗，得到质子交换反应后的层状材料；步骤一中所述的层状氧化钨铯的质量与质子酸的体积比为(0.1g～0.5g):(30mL～80mL)；二、将质子交换反应后的层状材料加入到有机碱中进行插层反应，再使用去离子水为清洗剂离心清洗，得到插层反应后的层状材料；步骤二中所述的质子交换反应后的层状材料的质量与有机碱的体积比为(0.1g～0.5g):(3mL～10mL)；三、将插层反应后的层状材料加入到水中进行机械剥离，得到二维钨基纳米片液晶；步骤三中所述的插层反应后的层状材料的质量与水的体积比为(0.8g～1.5g):(300mL～500mL)。
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