[发明专利]一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法有效

专利信息
申请号: 201910387042.8 申请日: 2019-05-10
公开(公告)号: CN110105301B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 王静;肖楠 申请(专利权)人: 福建泓光半导体材料有限公司
主分类号: C07D265/16 分类号: C07D265/16;G03F7/004;G03F7/09
代理公司: 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人: 赖秀华
地址: 363005 福建省漳*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明属于光刻领域,具体涉及一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法。所述抗蚀剂下层膜组合物含有式(1)所示的单体、式(2)和/或式(3)所示的聚合物、以及溶剂,其中,Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地表示经取代或未经取代的碳原子数为6‑100的芳基;式(1)中,X表示碳原子为1‑6的亚烷基,R1表示碳原子数为1‑6的烷基或碳原子数为6‑16的芳基,m为1‑4的整数;式(2)和式(3)中,R2表示氢原子或碳原子数为6‑16的芳基,p和q各自独立为1‑200的整数。本发明提供的抗蚀剂下层膜组合物兼具有优异的耐刻蚀性能、耐热性、溶剂溶解性、间隙填充特征和平坦化特征。
搜索关键词: 一种 抗蚀剂 下层 单体 组合 图案 形成 方法
【主权项】:
1.一种抗蚀剂下层膜单体,其特征在于,所述抗蚀剂下层膜单体具有式(1)所示的结构:式(1)中,Ar1表示经取代或未经取代的碳原子数为6‑100的芳基,X表示碳原子为1‑6的亚烷基,R1表示碳原子数为1‑6的烷基或碳原子数为6‑16的芳基,m为1‑4的整数。
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