[发明专利]一种多靶共溅射制备不同成分和掺杂比薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910387884.3 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110158034A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王少伟;陈旭;吴明飞;刘星星;陆卫;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/18;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多靶共溅射制备不同成分和掺杂比薄膜的方法。通过常温磁控溅射镀膜系统这一传统镀膜手段，以V为例，引入多靶共溅射的方式制备不同掺杂成分和掺杂比的V薄膜，然后通过氧化退火工艺实现不同掺杂成分和掺杂比VO2薄膜的制备，以此来调节VO2薄膜的相变温度，可广泛应用在非制冷红外焦平面、光学开关和智能节能玻璃等领域。所掺杂的原子可以为钨、钼、钛、钽、氟和铌中的一种或组合，所使用的靶材数目可根据具体情况选择两个或者多个。多靶共溅射制备掺杂薄膜的方法有效地避免了传统溅射方法不同掺杂成分和掺杂比需要多个不同靶材的问题，大大降低了制备成本，同时提高了掺杂的灵活性和多样性，与大规模镀膜生产线相匹配等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 制备 薄膜 共溅射 多靶 掺杂的 靶材 非制冷红外焦平面 磁控溅射镀膜 智能节能玻璃 镀膜生产线 工艺实现 光学开关 氧化退火 有效地 镀膜 溅射 匹配 多样性 引入 应用 | ||
【主权项】：
1.一种多靶共溅射制备不同成分和掺杂比薄膜的方法，其特征在于方法如下：首先通过纯V靶(1)和掺杂V靶(2)共溅射的方法制备不同成分和掺杂比的V薄膜：通过分别控制纯V靶(1)和掺杂V靶(2)的溅射功率，同时溅射纯V和掺杂V，在衬底(6)上形成掺杂V薄膜(7)；将溅射的掺杂V薄膜(7)放入真空退火炉中，抽真空后再通入一定量的氧气(8)进行氧化退火工艺实现不同成分和掺杂比VO2薄膜(9)的制备，从而实现VO2薄膜相变温度的灵活调节。
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