[发明专利]一种确定VFTO对二次设备影响程度的方法在审
| 申请号： | 201910387910.2 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110118906A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 林莘;赵雪;郝莎;翟文鹏;董沅慧;李雁 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 李运萍 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种确定VFTO对二次设备影响程度的方法，涉及变电站二次设备电磁兼容技术领域。本发明步骤如下：步骤1：获取变电站的物理模型，依据多导体传输线理论，结合变电站实际尺寸，利用电磁暂态仿真软件，建立气体绝缘变电站电路模型，得到气体绝缘变电站电路模型中二次设备附近的快速暂态过电压波形；步骤2：根据变电站中待检测的二次设备、GIS导电杆、GIS壳体的实际尺寸，将导电杆、壳体、二次设备连接，利用电磁暂态仿真软件建立三维空间电磁仿真模型，将快速暂态过电压波形输入到该模型中，获得待检测的二次设备受电磁干扰的影响情况。本方法模型简单，直观清晰地反映了VFTO对二次敏感设备影响。 | ||
| 搜索关键词： | 二次设备 变电站 电磁暂态仿真软件 快速暂态过电压 气体绝缘变电站 电路模型 导电杆 三维空间 变电站二次设备 传输线理论 波形输入 电磁仿真 电磁干扰 电磁兼容 方法模型 敏感设备 物理模型 多导体 检测 壳体 直观 清晰 | ||
【主权项】：
1.一种确定VFTO对二次设备影响程度的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：获取变电站中变压器、断路器、隔离开关、接地开关的物理模型，依据多导体传输线理论，结合变电站实际尺寸，利用电磁暂态仿真软件，在隔离开关的操作下，任意选取一条线路，建立气体绝缘变电站电路模型，计算得到气体绝缘变电站电路模型中二次设备附近的快速暂态过电压波形；步骤2：根据变电站中待检测的二次设备、GIS导电杆、GIS壳体的实际尺寸，将导电杆、壳体、二次设备连接，其中导电杆置于GIS壳体内部，二次设备集中放置在一个集装箱中，集装箱并联在GIS壳体上；利用电磁暂态仿真软件，建立其时域有限积分法下的三维空间电磁仿真模型，将步骤1中获得的二次设备附近的快速暂态过电压波形输入到三维空间电磁仿真模型中，获得待检测的二次设备受电磁干扰的影响情况。
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