[发明专利]具有界面垂直磁各向异性的多膜层结构及磁随机存储器有效
| 申请号： | 201910389296.3 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110098318B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 聂天晓;李晓辉;查丹 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王庆龙;苗晓静 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种具有界面垂直磁各向异性的多膜层结构及磁随机存储器，整个多膜层结构在生长完成后经历500℃以上的温度退火，确保了良好的热稳定性。在退火过程中缓冲层的金属铬结晶促进了整体结构的晶向形成。同时由于退火，在铁磁层和第一氧化物势垒层之间形成了电荷俘获，增强了两层之间由于层间耦合而形成的界面垂直磁各向异性。由于各膜层均在纳米量级，得到的多膜层结构还具有尺寸小的优点。本发明实施例提供的磁随机存储器中的磁隧道结为具有界面垂直磁各向异性的多膜层结构，可以使磁随机存储器的存储密度变高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 界面 垂直 各向异性 多膜层 结构 随机 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种具有界面垂直磁各向异性的多膜层结构，其特征在于，包括：保护层、第一氧化物势垒层、铁磁层、第一缓冲层、覆盖层和基底；所述覆盖层、第一缓冲层、所述铁磁层、所述第一氧化物势垒层以及所述保护层由下至上依次生长在所述基底上；所述第一缓冲层的材料为金属铬；所述多膜层结构经500℃以上的温度退火得到。
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