[发明专利]基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统在审

专利信息
申请号: 201910389431.4 申请日: 2019-05-10
公开(公告)号: CN109980502A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 王俊;刘恒;谭少阳 申请(专利权)人: 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/00
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 杨淑霞
地址: 215163 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统,其包括:单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜;单发光点VCSEL激光器包括:背面电极、衬底层、外延层、正面电极,正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置,MEMS微镜位于单发光点VCSEL激光器的出射光路上,MEMS微镜包括:反射镜以及驱动反射镜转动的驱动机构,反射镜具有第一转轴以及第二转轴,第一转轴与第二转轴相垂直。本发明通过MEMS微镜将单发光点VCSEL激光器发射的光线进行反射,快速地以点阵的方式投射到物体上,实现物体的成像,其避免了设置密集的激光器点阵。
搜索关键词: 发光点 转轴 背面电极 光源系统 正面电极 衬底层 反射镜 外延层 扫描 反射镜转动 激光器点阵 驱动机构 依次层叠 点阵 出射光 投射 反射 成像 垂直 驱动 发射
【主权项】:
1.一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统,其特征在于,所述VCSEL单发光点光源系统包括:单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜;所述单发光点VCSEL激光器包括:背面电极、衬底层、外延层、正面电极,所述正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置,所述MEMS微镜位于所述单发光点VCSEL激光器的出射光路上,所述MEMS微镜包括:反射镜以及驱动所述反射镜转动的驱动机构,所述反射镜具有第一转轴以及第二转轴,所述第一转轴与所述第二转轴相垂直。
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