[发明专利]晶片研磨装置及晶片研磨方法有效
| 申请号： | 201910390314.X | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110497305B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 武田直幸;中田和成 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/11;B24B37/34;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对针对半导体晶片的研磨状态为异常还是正常以高精度进行判定。晶片研磨装置(100)执行通过磨石(4)对半导体晶片(W1)进行研磨的研磨处理。磨石(4)作为特性而具有磨损率。磨损率大于或等于5％且小于200％。判定部(9)基于电动机(Mt1)的负载电流及研磨磨损量的至少一者进行下述的判定处理，即，对针对半导体晶片W1的研磨状态为异常还是正常进行判定。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 研磨 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片研磨装置，其执行通过磨石对半导体晶片进行研磨的研磨处理，/n在该晶片研磨装置中，/n在所述研磨处理中，将用于通过所述磨石对所述半导体晶片进行研磨的量即研磨量记为Kw，将通过进行该研磨处理而产生的预定的该磨石的磨损量记为Kt的情况下，/n所述磨石作为特性而具有由Kt/Kw这一公式表现的磨损率，/n所述磨损率大于或等于5％且小于200％，/n所述晶片研磨装置具备判定部，/n该判定部进行下述的判定处理，即，基于(a)在所述研磨处理中用于使所述磨石旋转的电动机的负载电流、以及(b)通过进行该研磨处理而产生的该磨石的磨损量即研磨磨损量的至少一者，对针对所述半导体晶片的研磨状态为异常还是正常进行判定。/n
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