[发明专利]基于FPGA与STM32的多通道磁信号采集存储装置在审

专利信息
申请号: 201910391454.9 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN110109399A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 王宏波;付振晶 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 吴茂杰
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种基于FPGA与STM32的多通道磁信号采集存储装置,包括:多个磁通门传感器(1)、FPGA控制模块(2)、STM32控制模块(3)、NANDFLASH存储模块(4)、通信模块(5)和上位机(6);所述FPGA控制模块(2)通过RS485接口与磁通门传感器(1)相连,通过FSMC总线与STM32控制模块(3)相连,所述NANDFLSH存储模块(4)复用FSMC总线与STM32控制模块(3)相连,所述串口通信模块(5)通过RS232总线分别与STM32控制模块(3)和上位机(6)连接。本发明的多通道磁信号采集存储装置,采集效率、数据可靠性高。
搜索关键词: 控制模块 磁信号采集 存储装置 多通道 磁通门传感器 总线 上位机 串口通信模块 数据可靠性 存储模块 通信模块 复用 采集
【主权项】:
1.一种基于FPGA与STM32的多通道磁信号采集存储装置,其特征在于,包括:多个磁通门传感器(1),用于感知现场磁信号;FPGA控制模块(2),用于控制同步采集多个磁传感器(1)的磁信号;STM32控制模块(3),用于控制FPGA控制模块(2)采集磁信号数据;NANDFLASH存储模块(4),用于存储采集到的磁信号数据;通信模块(5),用于与上位机实现磁信号数据和控制命令通信;上位机(6),用于发送采集控制命令,分析处理磁信号数据;所述FPGA控制模块(2)通过RS485接口与磁通门传感器(1)相连,通过FSMC总线与STM32控制模块(3)相连,所述NANDFLSH存储模块(4)复用FSMC总线与STM32控制模块(3)相连,所述串口通信模块(5)通过RS232总线分别与STM32控制模块(3)和上位机(6)连接。
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