[发明专利]基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极

摘要

本发明提供了一种基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极，包括透明输入窗、指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极和金属栅网；指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极前端面紧贴透明输入窗，指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极后方一预定距离处设置金属栅网，指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极包括衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型指数掺杂GaN纳米线阵列光电发射层、及Cs/O激活层，衬底与透明输入窗紧贴设置，非故意掺杂的AlN缓冲层紧贴于衬底后端面，p型指数掺杂GaN纳米线阵列光电发射层包括若干GaN纳米线且每一GaN纳米线设置于非故意掺杂的AlN缓冲层后端面，Cs/O激活层裹覆在GaN纳米线表面，金属栅网外接电路形成均匀电网。

主权项

1.一种基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极，其特征在于，包括透明输入窗(1)、指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极(2)和金属栅网(3)；其中指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极(2)前端面紧贴透明输入窗(1)，指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极(2)后方一预定距离处设置金属栅网(3)，指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极(2)包括衬底(21)、非故意掺杂的AlN缓冲层(22)、p型指数掺杂GaN纳米线阵列光电发射层(23)、及Cs/O激活层(24)，衬底(21)与透明输入窗(1)紧贴设置，非故意掺杂的AlN缓冲层(22)紧贴于衬底(21)后端面，p型指数掺杂GaN纳米线阵列光电发射层(23)包括若干GaN纳米线且每一GaN纳米线设置于非故意掺杂的AlN缓冲层(22)后端面，Cs/O激活层(24)裹覆在GaN纳米线表面，金属栅网(3)外接电路形成均匀电网。