[发明专利]一种确定半导体激光器储备池工作点的方法

摘要

本发明公开了一种确定半导体激光器储备池工作点的方法。设置响应激光器的偏置电流在阈值电流的±5%之间，驱动激光器与响应激光器的频率失谐在‑5GHz~0GHz之间；根据连续光注入下响应激光器的驰豫振荡周期t0设置虚节点间隔q=0.2t0，再根据所需虚节点数M，确定反馈延迟时间td=(M+1)q；初始化注入强度kinj和反馈强度kf，把连续光注入响应激光器，判断其非线性状态，如果不是注入锁定状态，则逐渐增加kinj，反之则减少kinj，直到找到注入锁定状态下的最小kinjj；在此参数下对储备池进行训练，然后把一个校验信号输入到储备池中，计算其测试结果的误差；同比例缩放kf和kinj，对比所取得的误差，最小误差对应的kf和kinj即是最佳参数，至此，半导体激光器储备池的工作点参数全部确定。

主权项

1.一种确定半导体激光器储备池工作点的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)设置响应激光器的偏置电流在阈值电流的±5％之间，驱动激光器与响应激光器的频率失谐在‑5GHz～0GHz之间；2)根据连续光注入下响应激光器的驰豫振荡周期τ₀设置虚节点间隔θ＝0.2τ₀，再根据需要的虚节点数M，确定反馈延迟时间τ_d＝(M+1)θ；3)初始化注入强度和反馈强度，把连续光注入响应激光器，判断响应激光器的工作状态，如果不是注入锁定状态，则逐渐增加注入强度，反之则减少注入强度，直到找到注入锁定状态下的最小注入强度；4)在此参数下对储备池进行训练，然后把一个校验信号输入到储备池中，计算其测试结果的误差；5)同比例缩放反馈强调度和注入强度，对比所取得的误差，最小误差对应的注入强度和反馈强度即是最佳的，至此，半导体激光器储备池的工作点参数全部确定。