[发明专利]一种片状锰酸铒单晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910391993.2 申请日: 2019-05-13
公开(公告)号: CN109972198A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 王学云;高子岩;洪家旺 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: C30B11/04 分类号: C30B11/04;C30B29/22;C30B29/64;B82Y30/00
代理公司: 北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 代理人: 邬晓楠
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种片状锰酸铒单晶的制备方法,属于材料制备技术领域。本发明方法具有操作简单,设备要求简单,成本低,生长周期短,无需处理即可得到整块自然生长的高质量单晶等优点。经本发明方法生长的锰酸铒单晶,化学组成表达为:ErMnO3,室温下晶体结构空间群为P63cm,形状呈薄片状,表面呈本征状态。本发明方法为ErMnO3多铁性单晶的实际应用提供一种切实可行地便捷生长方法。
搜索关键词: 单晶 锰酸 制备 材料制备技术 高质量单晶 化学组成 晶体结构 设备要求 生长周期 应用提供 自然生长 薄片状 空间群 生长 本征 铁性 整块
【主权项】:
1.一种片状锰酸铒单晶的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一、将Er2O3、MnO2和Bi2O3置于研钵中,研磨混合均匀,得到混料;所述Er2O3与MnO2的摩尔比为:1:2;步骤二、将混料装入坩埚,放入箱式炉中,按照设定温度制度,开始生长单晶;所述温度制度为:以150℃/h~200℃/h的升温速率从室温升温到1280℃~1350℃,然后在1280℃~1350℃保温6h~8h,随后以1.5℃/h~2℃/h的降温速率从1280℃~1350℃降温到950℃~960℃;此时倾斜坩埚,并在此温度下保温2~4小时,使单晶与熔剂分离,冷却至室温得到锰酸铒单晶。
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