[发明专利]一种通过腔内气体压力调控F-P光纤温度传感器灵敏度的方法在审
| 申请号： | 201910392251.1 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110031127A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;王荣堃 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01K11/32 | 分类号： | G01K11/32 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明利用硅片和硼硅玻璃阳极键合过程中对键合设备真空室的压力进行调节，使真空室压力为0.01MPa‑0.1MPa，键合后制得硅片与硼硅玻璃之间的密封腔内压力为0.01MPa‑0.1MPa的样品，最终得到光学腔内压力为0.01MPa‑0.1MPa的F‑P光纤温度传感器，本发明的方法可以得到不同温度测试灵敏度的传感器，同时又可以调控其温度测试的灵敏度，使得单一传感器可以满足实际应用中的不同测试需求。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏度 硼硅玻璃 温度测试 内压力 硅片 光纤温度传感器 单一传感器 温度传感器 真空室压力 测试需求 键合设备 腔内气体 压力调控 阳极键合 光学腔 密封腔 真空室 传感器 键合 调控 应用 | ||
【主权项】：
1.一种通过腔内气体压力调控F‑P光纤温度传感器灵敏度的方法，包括步骤如下：(1)提供一硼硅玻璃，在所述硼硅玻璃上表面制备一层金属薄膜作为硼硅玻璃刻蚀的掩膜，在金属薄膜表面通过光刻工艺制作光刻胶掩膜，然后利用剥离工艺或湿法腐蚀的方法在硼硅玻璃表面形成金属掩膜图形；然后对暴露的硼硅玻璃进行干法或者湿法刻蚀，形成腐蚀坑；(2)提供一硅片，将步骤(1)制备的硼硅玻璃上表面和硅片一面贴合，利用阳极键合技术进行键合，在键合过程中调节键合设备真空室的压力，使真空室压力为0.01MPa‑0.1MPa，键合后制得硅片与硼硅玻璃之间的密封腔内压力为0.01MPa‑0.1MPa的样品；(3)将步骤(2)键合后的样品硅片的一面进行机械研磨或者湿法腐蚀减薄，硅片成为硅薄膜。
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