[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910392471.4 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110112159A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 马亚辉;吴明;林宗贤;吴龙江 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，其方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干像素区；在所述半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层，在各像素区形成若干环形沟槽，不同像素区的环形沟槽尺寸不同；在所述介质层上形成金属膜层，且所述金属膜层覆盖所述环形沟槽，各所述像素区的所述金属膜层呈凹凸环形分布；刻蚀所述金属膜层环状分布中心区域至露出所述介质层表面，在凹凸环形分布的所述金属膜层中心位置处形成通光孔。本发明节省了制作工序。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜层 像素区 环形沟槽 介质层 衬底 半导体 图像传感器 凹凸环形 刻蚀 介质层表面 中心位置处 环状分布 中心区域 通光孔 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干像素区；在所述半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层，在各像素区形成若干环形沟槽，不同像素区的环形沟槽尺寸不同；在所述介质层上形成金属膜层，且所述金属膜层覆盖所述环形沟槽，各所述像素区的所述金属膜层呈凹凸环形分布；刻蚀所述金属膜层环状分布中心区域至露出所述介质层表面，在凹凸环形分布的所述金属膜层的中心位置处形成通光孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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