[发明专利]空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器有效
| 申请号： | 201910393168.6 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110212882B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 帅垚;罗文博;吴传贵 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及空腔型体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器；包括如下步骤：通过单晶晶圆损伤处理工艺对单晶晶圆进行损伤处理，得到具有损伤层的单晶晶圆；在具有损伤层的单晶晶圆的下表面依次制备下电极和牺牲层，在牺牲层表面制备厚度大于等于牺牲层和下电极厚度总和的聚合物键合层，将衬底与聚合物键合层进行键合工艺处理及单晶晶圆劈裂工艺处理后，得到具有下电极的单晶薄膜；在具有下电极的单晶薄膜的上表面制备上电极，在单晶薄膜层上表面开设与牺牲层连通的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到空腔型体声波谐振器；制备得到的空腔型体声波谐振器具有较高Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 声波 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：通过单晶晶圆损伤处理工艺对单晶晶圆进行损伤处理，得到具有损伤层的单晶晶圆；在具有损伤层的单晶晶圆的下表面依次制备下电极和牺牲层，在牺牲层表面制备厚度大于等于牺牲层和下电极厚度总和的聚合物键合层，将衬底与聚合物键合层进行键合工艺处理及单晶晶圆劈裂工艺处理后，得到具有下电极的单晶薄膜；在具有下电极的单晶薄膜的上表面制备上电极，在单晶薄膜层上表面开设与牺牲层连通的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到空腔型体声波谐振器。
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