[发明专利]由光致抗蚀剂层包围的导电结构元件的厚度测量有效
| 申请号： | 201910393875.5 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110487190B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 埃亚勒·塞格夫 | 申请（专利权）人： | 康代有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陆建萍;杨明钊 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了由光致抗蚀剂层包围的导电结构元件的厚度测量。一种用于估计与物体的多个导电结构元件相关的厚度的方法，该方法包括估计在导电结构元件的上表面和围绕导电结构元件的光致抗蚀剂层部分的上表面之间的高度差，以提供多个高度差；至少基于发射辐射的第二部分来估计多个光致抗蚀剂层部分的厚度；以及计算与多个导电结构元件相关的厚度值，其中该计算至少基于多个高度差并且基于多个光致抗蚀剂层部分的所估计的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 包围 导电 结构 元件 厚度 测量 | ||
【主权项】：
1.一种用于估计与物体的多个导电结构元件相关的厚度的方法，所述方法包括：/n(a)用第一照射辐射照射所述多个导电结构元件和属于所述物体的光致抗蚀剂层的多个光致抗蚀剂层部分；其中所述多个光致抗蚀剂层部分围绕所述多个导电元件；/n(b)检测第一发射辐射，其中所述第一发射辐射从所述多个光致抗蚀剂层部分的上表面发射，以及从所述多个导电结构元件的上表面发射；/n(c)对于每个导电结构元件并基于所述第一发射辐射来估计在所述导电结构元件的上表面和围绕所述导电结构元件的光致抗蚀剂层部分的上表面之间的高度差以提供多个高度差；/n(d)用第二照射辐射照射所述光致抗蚀剂层部分的第一多个点；其中所述第二照射辐射与所述第一照射辐射至少在波长上不同；/n(e)检测从所述多个光致抗蚀剂层部分的至少底部发射的第二发射辐射；/n(f)至少基于所述第二发射辐射来估计所述多个光致抗蚀剂层部分的厚度；以及/n(g)计算与所述多个导电结构元件相关的厚度值，其中所述计算至少基于所述多个高度差并且基于所述多个光致抗蚀剂层部分的所估计的厚度。/n
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