[发明专利]一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910394087.8 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110137802B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王俊;刘恒;谭少阳;荣宇峰 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/042;H01S5/187 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215163 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于外延层的一侧表面上，任一Mesa台面形成外延层的发光点，任一Mesa台面上设置有上电极，衬底一侧表面上设置有下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。本发明通过在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅等介质材料。通过调节材料的厚度和应力水平，降低了外延片的翘曲程度，从而提升了小间距密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻精度，实现了小间距密排垂直腔面发射激光器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 间距 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述小间距密排垂直腔面发射激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；所述Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于所述外延层的一侧表面上，任一所述Mesa台面形成所述外延层的发光点，任一所述Mesa台面上设置有所述上电极，所述衬底一侧表面上设置有所述下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，未经苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910394087.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垂直腔面发射激光器及其制作方法
- 下一篇：一种激光器（VCSEL）封装结构
