[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201910394109.0 申请日: 2019-05-13
公开(公告)号: CN110112160B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 彭锦涛;秦斌;彭宽军;郭凯;牛亚男;李小龙;滕万鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及显示领域,公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该阵列基板包括:多个光敏结构;每个光敏结构包括PIN器件和第一TFT;第一TFT包括:设于衬底上的第一电极;设于第一电极上的第一绝缘层;设于第一绝缘层上的第二电极;设于第二电极上的有源层,有源层贯穿第一绝缘层与第一电极接触,且有源层具有连接于第一电极和第二电极之间的沟道区;设于有源层上的第二绝缘层;设于第二绝缘层上的栅极,栅极覆盖沟道区;PIN器件设于第一TFT上且与栅极电连接。该阵列基板中的第一TFT尺寸较小,第一TFT与PIN器件之间结构紧凑,在平行于衬底上占用面积较小,可以有效提高产品的像素密度,有利于高PPI的产品生产。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底、设于所述衬底上的多个光敏结构;每个所述光敏结构包括PIN器件和第一TFT;其中,所述第一TFT包括:设于所述衬底上的第一电极;设于所述第一电极上的第一绝缘层;设于所述第一绝缘层上的第二电极;设于所述第二电极上的有源层,所述有源层贯穿所述第一绝缘层与所述第一电极接触,且所述有源层具有连接于所述第一电极和第二电极之间的沟道区,所述沟道区包括与所述第一电极接触的第一接触区、与所述第二电极接触的第二接触区、以及位于所述第一接触区和第二接触区之间的连接区;设于所述有源层上的第二绝缘层;设于所述第二绝缘层上的栅极,在垂直于所述衬底的方向上,所述栅极覆盖所述沟道区;所述PIN器件设于所述第一TFT上且与所述栅极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910394109.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top