[发明专利]一种无定形四硫代钼酸钴/硒化镍纳米片阵列复合材料的制备方法及其应用

摘要

本发明公开一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)在水热条件下，六水合硝酸钴和七水合钼酸钠发生反应，在泡沫镍上生长出CoMoO4纳米片阵列；(2)将硫化钠与CoMoO4纳米片阵列进行水热反应形成无定形CoMoS4纳米片阵列；(3)在水热条件下，六水合氯化镍、二氧化硒和尿素发生反应形成无定形NiSe，并沉积在无定形CoMoS4纳米片阵列的表面，最终得到无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料。该制备方法简单、成本低，且制得的无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料具有高的比电容和良好的循环稳定性，可应用于超级电容器电极材料，具有很好的应用前景。

主权项

1.一种无定形CoMoS₄/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法，其特征在于：包括CoMoO₄纳米片阵列的制备、无定形CoMoS₄纳米片阵列的制备以及无定形CoMoS₄/NiSe纳米片阵列复合材料的制备三个步骤；所述CoMoO₄纳米片阵列的制备方法是先在室温下，将清洗过的泡沫镍浸没于六水合硝酸钴和七水合钼酸钠的混合水溶液中，密封加热到80～180℃进行水热反应，保温4～10h，冷却至室温，得到反应产物A；然后将反应产物A清洗、干燥，得到生长在所述泡沫镍上的CoMoO₄纳米片阵列；所述无定形CoMoS₄纳米片阵列的制备方法是先在室温下，将生长有所述CoMoO₄纳米片阵列的泡沫镍置于硫化钠溶液中，密封加热到60～120℃进行水热反应，保温4～10h，然后冷却至室温，得反应产物B，然后将反应产物B清洗、干燥，得到生长在所述泡沫镍上的无定形CoMoS₄纳米片阵列；所述无定形CoMoS₄/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法是先在室温下，将生长有所述无定形CoMoS₄纳米片阵列的泡沫镍置于六水合氯化镍、二氧化硒和尿素的混合水溶液中，密封加热到100～200℃进行水热反应，保温5～20h，然后冷却至室温，得反应产物C；最后将反应产物C清洗、干燥，得到所述无定形CoMoS₄/NiSe纳米片阵列复合材料。