[发明专利]一种碳化硅浅沟槽刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910395177.9 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110277315A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞;吴昊;田亮;李嘉琳;孙俊敏;张红丹;焦倩倩 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网福建省电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 安凯 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅浅沟槽刻蚀方法，包括：在碳化硅外延层上涂覆光刻胶；图形化所述光刻胶；以所述图形化后的光刻胶做掩膜对所述碳化硅外延层进行干法刻蚀，所述干法刻蚀的参数包括：循环交替通入SF6和O2；去除所述光刻胶。本发明实施例提供了一种碳化硅浅沟槽刻蚀方法，通过在碳化硅外延层上涂覆光刻胶，直接以光刻胶做掩膜进行刻蚀，减少了掩膜数量，提高了刻蚀效率，降低了刻蚀难度，有效的降低了碳化硅器件批量生产成本。SF6气体和O2气体循环交替作用于材料，一方面可以降低对光刻胶的刻蚀速率，另一方面有助于提高碳化硅沟槽的侧壁角度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶 刻蚀 碳化硅 碳化硅外延层 浅沟槽 掩膜 干法刻蚀 图形化 涂覆 碳化硅器件 交替作用 刻蚀效率 气体循环 循环交替 侧壁 去除 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅浅沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括：在碳化硅外延层上涂覆光刻胶；图形化所述光刻胶；以所述图形化后的光刻胶做掩膜对所述碳化硅外延层进行干法刻蚀，所述干法刻蚀的参数包括：循环交替通入SF6和O2；去除所述光刻胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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