[发明专利]一种可视化半导体光电化学微加工装置及方法在审
| 申请号： | 201910395295.X | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110155936A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘国华;麦满芳;杜亮;马信洲 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C99/00;H01L21/3063;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谢泳祥 |
| 地址： | 528000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种可视化半导体光电化学微加工装置及方法，所述装置包括：半导体样品、光源、电解池、恒电位仪、光学斩波器、图像采集模块和电脑处理终端；所述电解池内设有参比电极和对电极，参比电极、对电极和作为工作电极的半导体样品浸泡在电解液中，所述参比电极、对电极和半导体样品均与恒电位仪电性连接；所述光源位于所述半导体样品的上方，用于照射所述半导体样品，所述光学斩波器位于所述光源和半导体样品之间；所述图像采集模块和恒电位仪均与所述电脑处理终端电性连接。本发明结构紧凑，实现可视化观察刻蚀过程，可扩展性强，根据半导体的禁带宽度可选择不同波长的光源，可应用于大部分半导体材料的微加工。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体样品 光源 参比电极 恒电位仪 对电极 可视化 半导体 图像采集模块 光学斩波器 微加工装置 电脑处理 电性连接 光电化学 电解池 半导体材料 终端 工作电极 可扩展性 刻蚀过程 电解液 微加工 波长 禁带 浸泡 照射 观察 应用 | ||
【主权项】：
1.一种可视化半导体光电化学微加工方法，其特征在于，所述方法包括：向电解池加入电解液，把参比电极、对电极和半导体样品浸泡在电解液中，所述半导体样品、参比电极和对电极分别与恒电位仪电性连接；实时采集半导体样品表面的图像；在半导体样品的上方设置用于照射半导体样品的光源；光源周期性照射半导体样品，设定采样速度，通过线性扫描伏安法得到半导体样品在周期性光照下的电流随电压变化的变化曲线；在刻蚀时间内，根据所述变化曲线选定刻蚀电压，对电极和半导体样品施加所述刻蚀电压，光源正常照射半导体样品，对半导体进行光电化学刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山科学技术学院，未经佛山科学技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910395295.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
