[发明专利]纳米线栅结构、荧光各向异性增强装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201910395690.8 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110133770A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 韩春蕊;齐月静;王宇;叶剑挺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米线栅结构、荧光各向异性增强装置及其制备方法。该纳米线栅结构为多个条状结构线栅平行排布形成，且其结构参数为：线栅周期300‑800纳米，线栅宽度50‑400纳米；所述多个条状结构线栅厚度为40‑60纳米，其材料为金属纳米结构超材料。该装置利用超材料表面等离激元共振产生的超强局域场和超小模体积，增强荧光材料的自发辐射率和荧光强度，通过调节纳米线栅结构的线宽调制荧光增强程度，并通过调节纳米线栅结构的周期控制荧光场增强方向，从而解决了现有材料荧光信号弱以及现有技术难以调制荧光增强程度和光场偏振方向的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线栅 荧光 条状结构 荧光增强 增强装置 超材料 制备 调制 表面等离激元 金属纳米结构 结构参数 平行排布 线栅厚度 线栅宽度 线栅周期 荧光材料 荧光信号 周期控制 自发辐射 场增强 局域场 超强 共振 光场 偏振 线宽 线栅 小模 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线栅结构，其特征在于，所述纳米线栅结构为多个条状结构线栅平行排布形成，且其结构参数为：线栅周期300‑800纳米，线栅宽度50‑400纳米；所述多个条状结构线栅厚度为40‑60纳米，其材料为金属纳米结构超材料。
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