[发明专利]一种复合纳米结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种复合纳米结构及其制备方法，该复合纳米结构包括有机‑无机杂化钙钛矿纳米晶，和嵌入该有机‑无机杂化钙钛矿纳米晶内的半导体量子点；有机‑无机杂化钙钛矿纳米晶的结构式为CH3NH3PbX3，X选自Cl、Br或I。制备方法包括：将卤化铅与有机溶剂A混合均匀，得到溶液Ⅰ；将甲基卤化铵与有机溶剂B混合均匀，得到溶液Ⅱ；将半导体量子点加入溶液Ⅱ中，再加入配体，分散均匀后，得到混合溶液；再将混合溶液与溶液Ⅰ混合，经反应后得到复合纳米结构。本发明经工艺优化制备得到的复合纳米结构可提高光生电子和空穴的扩散距离，抑制电子和空穴半导体量子点表面的复合，可广泛用于太阳能电池及光催化等领域。

主权项

1.一种复合纳米结构，其特征在于，包括有机‑无机杂化钙钛矿纳米晶，和嵌入所述有机‑无机杂化钙钛矿纳米晶内的半导体量子点；所述有机‑无机杂化钙钛矿纳米晶的结构式为CH₃NH₃PbX₃，X选自Cl、Br或I。