[发明专利]一种InP量子点及其制备方法

摘要

本发明公开了一种InP量子点的制备方法，涉及量子点材料领域，包括以下步骤：先将反应容器除水除氧，然后制备均匀的铟、锌混合的前体溶液，加入磷前驱体，再加入合成壳层材料，然后采用边升温边增加壳层厚度的方式制得具有壳层结构的InP量子点结构。本发明制备的InP量子点，InP晶核为纳米结构，壳层成分包含ZnS、ZnSe和ZnSeS中的一种或几种；荧光发射峰范围为450～700nm，半高宽低于55nm。本发明能够有效控制晶核生长和荧光发射波长，获得晶核粒径细小均一、发光色域广、半高宽窄的InP量子点；同时能够减少晶核的表面氧化，促使壳层高质量低缺陷地增厚，提升InP量子点的发光效率。

主权项

1.一种InP量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)准备阶段：在反应容器中持续通入干燥的保护气体，以充分除去所述反应容器中的水分和氧气；2)前体制备：将铟前驱体、锌前驱体、胺配体配位溶液分别加入所述反应容器中并充分混合，获得均匀的铟、锌混合的前体溶液；3)成核：将所述前体溶液控温至第一温度后，加入磷前驱体，再控温至第二温度，并保温5～360min，使所述磷前驱体与所述铟前驱体充分反应，得到InP纳米晶核溶液；4)包壳：往所述InP纳米晶核溶液中加入合成壳层所需的前驱体溶液，再升温至第三温度，保温0～60min，最终得到具有壳层结构的InP量子点；5)提纯：将步骤4)结束后的混合液的温度降至室温，提纯获得纯化的InP量子点。