[发明专利]一种含自由基的吡咯并吡咯类有机半导体材料、制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种含自由基的吡咯并吡咯类有机半导体材料、制备方法及其应用，属于光电材料技术领域。本发明的制备方法包括：将吡咯并吡咯卤代衍生物与单体Ⅰ混合，或将吡咯并吡咯有机锡化合物与单体Ⅰ′混合，得到吡咯并吡咯类有机半导体材料；将吡咯并吡咯类有机半导体材料与氧化剂反应得到含自由基的吡咯并吡咯类有机半导体材料。本发明的制备方法合成路线简单，易于合成。本发明制备的含自由基的吡咯并吡咯类有机半导体材料，其电子迁移率高、分子稳定性好、吸收强度高且吸收波带窄，其吸收波长达近红外波段，可用于近红外、窄带光电探测器、有机场效应管等器件的自由基材料。

主权项

1.一种含自由基的吡咯并吡咯类有机半导体材料，其特征在于，其分子结构如式Ⅰ所示：式中：R₁为叔丁基、芳香基或杂环芳香基；R₂为叔丁基、芳香基或杂环芳香基；R₃为氧原子或硫原子；R₄为H原子、C1‑C60的直链烷基或支链烷基；R₅为氧原子、硫原子或亚胺基；R₆为呋喃、并二呋喃、联二呋喃、三联呋喃、四联呋喃、噻吩、并二噻吩、联二噻吩、三联噻吩、四联噻吩、3,4‑乙烯二氧噻吩、硒吩、并二硒吩、联二硒吩、三联硒吩、四联硒吩、芳香基、腈基、硝基衍生物、含氟噻吩、含氟呋喃、含氟硒吩、苯基、1‑萘基或2‑萘基。