[发明专利]金属栅极及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910399076.9 申请日: 2019-05-14
公开(公告)号: CN110148585B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 杨渝书;伍强;李艳丽 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L27/088
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑星
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供的一种金属栅极及其制造方法,在金属栅极的制造方法中,在以第二硬掩模层为掩模,刻蚀第一硬掩模层,并停止在部分深度的第一硬掩模层中,将第一图形和第二图形复制至第一硬掩模层中,以形成图形化的第一硬掩模层时,第一区刻蚀和第二区刻蚀都以第二硬掩模层为掩模,使得第一区和第二区在这个刻蚀过程中产生的聚合物的材料完全相同,因此,这些残留物没有对后续形成的栅极第一图形和第二图形的形貌造成影响,降低了工艺难度,提高了工艺稳定性。
搜索关键词: 金属 栅极 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种金属栅极的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基底,所述基底包括第一区和第二区,所述基底上形成有栅极膜层和第一硬掩模层,在第一区的基底上还形成有依次叠加的图形化的硅材料层和图形化的第二硬掩模层,在第二区的基底上还形成有图形化的第二硬掩模层,所述第一区的图形化的所述硅材料层和图形化的所述第二硬掩模层具有第一图形,所述第二区的图形化的所述第二硬掩模层具有第二图形;以所述第二硬掩模层为掩模,刻蚀所述第一硬掩模层,并停止在部分深度的第一硬掩模层中,将所述第一图形和第二图形复制至第一硬掩模层中,以形成图形化的第一硬掩模层;以及以图形化的第一硬掩模层和第二硬掩模层为掩模,刻蚀所述栅极膜层,并停止在部分深度的所述栅极膜层中,将所述第一图形和第二图形复制至栅极膜层中,以形成图形化的栅极膜层。
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