[发明专利]解决PERC电池EL下舟印的方法有效
申请号: | 201910399559.9 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN110233188B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 张自铭;朱彦斌;杨灼坚 | 申请(专利权)人: | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/049 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 224000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于晶硅太阳能电池制造领域,具体涉及一种解决PERC电池EL下舟印的方法,该方法为在石墨舟长时间待机时运行烘舟工艺,该方法包括进舟、升温、第一次抽真空、测漏、第二次抽真空、预处理、淀积、第三次抽真空、第一次吹扫、第四次抽真空、第二次吹扫以及出舟步骤,本发明能有效解决EL下舟印不良,提升PERC电池的良率。 | ||
搜索关键词: | 解决 perc 电池 el 下舟印 方法 | ||
【主权项】:
1.一种解决PERC电池EL下舟印的方法,其特征在于,在石墨舟长时间待机时运行烘舟工艺,该方法包括以下步骤:步骤(1)进舟:温度500—550℃,压力10000mTor;步骤(2)升温:时间700—800S,温度500—550℃,压力10000mTor;步骤(3)第一次抽真空:时间100—200S,温度500—550℃,压力0 mTor;步骤(4)测漏:时间10—50S,温度500—550℃,压力10000 mTor;步骤(5)第二次抽真空:时间10—100S,温度500—550℃,压力0 mTor;步骤(6)预处理:时间10—100S,温度500—550℃,硅烷1000—2000sccm,氨气5000‑8000sccm,压力1000—2000 mTor;步骤(7)淀积:时间500—1000S,温度500—550℃,硅烷1000—2000sccm,氨气5000—8000sccm,压力1000—2000 mTor,功率8000—15000W,脉冲开30—80mS,脉冲关500—1000mS;步骤(8)第三次抽真空:时间10—100S,温度400—500℃,压力0 mTor;步骤(9)第一次吹扫:时间10—100S,温度400—500℃,氮气10000—20000sccm,压力10000 mTor;步骤(10)第四次抽真空:时间10—100S,温度400—500℃,压力0 mTor;步骤(11)第二次吹扫:时间10—100S,温度400—500℃,氮气10000—20000sccm,压力10000 mTor;步骤(12)出舟:温度500—550℃,压力10000 mTor。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的