[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法，所述TFT阵列基板包括基板和设置于基板上的膜层结构；其中，膜层结构包括第一金属层和位于第一金属层上方的第二金属层，第一金属层的第一部分在基板上的正投影与第二金属层的第二部分在所述基板上的正投影重合，基板上与第一部分和第二部分对应的位置处设置有凹槽。对基板进行预图形化处理在预设位置处形成凹槽，从而降低TFT阵列基板中双层金属区域与单层金属区域之间的高度差异，提高平坦度，从而提高各膜层的覆盖性，减小双层金属区域与单层金属区域的高度差异带来的地形复杂化问题。

主权项

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括基板和设置于所述基板上的膜层结构，所述膜层结构包括：第一金属层；位于所述第一金属层上方的第二金属层；其中，所述第一金属层的第一部分在所述基板上的正投影与所述第二金属层的第二部分在所述基板上的正投影重合，所述基板上与所述第一部分和所述第二部分对应的位置处设置有凹槽。