[发明专利]一种半导体桥芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910400769.5 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110137090A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张威;李宋 | 申请（专利权）人： | 北京足智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体桥芯片及其制备方法，其特征在于：在SOI基片的顶层单晶硅内掺杂元素，改变其电学性质，并涂覆光刻胶，刻蚀出桥区；去掉光刻胶，在SOI上表面溅射铝，再次使用光刻法刻蚀出电极区域，并腐蚀掉未被光刻胶保护的铝膜；去掉光刻胶，将半导体桥芯片在氮气环境下退火处理。本发明提供的半导体桥芯片，简化了工艺流程，不再限制于低压力化学气相沉积法加工多晶硅的工艺能力，大大提高了桥区的设计灵活性，可进行各种厚度、尺寸、电阻值的半导体桥芯片的生产，增加桥区点火可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体桥 芯片 光刻胶 桥区 刻蚀 制备 化学气相沉积 单晶硅 点火可靠性 光刻胶保护 掺杂元素 氮气环境 电极区域 电学性质 工艺能力 退火处理 再次使用 工艺流程 低压力 多晶硅 光刻法 上表面 顶层 电阻 溅射 铝膜 涂覆 腐蚀 加工 生产 | ||
【主权项】：
1.一种半导体桥芯片，其特征在于，包括：位于半导体桥芯片底层的单晶硅基底(1)，在所述单晶硅基底(1)上表面形成二氧化硅层(2)，在所述二氧化硅层(2)的上表面设置有单晶硅层(3)，所述单晶硅层(3)上包含桥区(31)，在单晶硅层(3)上部分区域覆盖金属电极(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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