[发明专利]二维耦合的射频压电谐振器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910401358.8 申请日: 2019-05-15
公开(公告)号: CN110166012A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 刘康福;吴涛 申请(专利权)人: 上海科技大学
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/13;H03H9/17
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 翁若莹;王文颖
地址: 200120 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种二维耦合的射频压电谐振器及其制备方法。所述射频压电谐振器包括用于固定叉指电极的压电层,压电层固定于硅衬底上;叉指电极的上电极、下电极分别固定于压电层的上下两侧,横截面上位于连续压电层上的叉指电极为一个谐振单元,压电层上设有至少一个谐振单元。制备方法为:在硅衬底上生长出牺牲层,或直接将硅衬底的上层作为牺牲层;将下电极镀在牺牲层表面;在下电极表面生长压电层;在压电层上表面对准下电极镀上电极;刻蚀出谐振单元;将下电极底部的牺牲层刻蚀,使压电层的下电极处与其下方的硅衬底之间形成空腔。本发明的机电耦合系数提高至7%‑11%。
搜索关键词: 压电层 下电极 硅衬底 牺牲层 压电谐振器 谐振单元 电极 射频 制备 二维耦合 刻蚀 机电耦合系数 叉指电极 电极表面 上下两侧 生长 固定叉 上表面 叉指 空腔 对准 上层
【主权项】:
1.一种二维耦合的射频压电谐振器,其特征在于,包括用于固定叉指电极的压电层(12),压电层(12)固定于硅衬底(14)上;叉指电极用于驱动谐振器使其发生谐振,叉指电极的上电极(11b)、下电极(11a)分别固定于压电层(12)的上下两侧,横截面上位于连续压电层(12)上的叉指电极为一个谐振单元,压电层(12)上设有至少一个谐振单元,每个谐振单元包括2n+1对叉指电极,其中,n为自然数。
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