[发明专利]一种垂直型氮化镓肖特基二极管器件及其制备方法

摘要

本发明了一种垂直型氮化镓肖特基二极管器件及其制备方法。所述器件包括阳极金属层、铝镓氮层、N型轻掺杂层、N型重掺杂层、缓冲层、衬底及阴极金属层。制备方法为：在衬底表面沉积一层缓冲层，在缓冲层上形成N型重掺杂层、N型轻掺杂层；刻蚀部分N型轻掺杂层，在N型轻掺杂层中刻蚀凹槽，并沉积铝镓氮层；继续沉积阳极金属层；在N型重掺杂层或衬底表面沉积阴极金属层。本发明提供的氮化镓肖特基二极管器件较现有的横向平面型和垂直型氮化镓肖特基二极管具有更强的抗击穿能力，该器件正向导通时，减少串联电阻进而减少发热，有利于防止热逃逸现象；当处于反向偏压条件下时，电场的峰值处于铝镓氮层中，增加器件反向耐压特性。

主权项

1.一种垂直型氮化镓肖特基二极管器件，其特征在于，包括由上至下依次复合的阳极金属层(1)、铝镓氮层(2)、N型轻掺杂层(3)、N型重掺杂层(4)、缓冲层(5)及衬底(6)，铝镓氮层(2)与阳极金属层(1)之间为肖特基接触；当阴极金属层(7)设于N型重掺杂层(4)上，且与N型轻掺杂层(3)不接触时，为准垂直型异质结构；当阴极金属层(7)复合于衬底(6)底部时，为全垂直型异质结构。