[发明专利]与垂直晶体管组合的垂直溢流漏极有效
| 申请号： | 201910402023.8 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110504277B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 郑源伟;陈刚;毛杜立;戴森·戴;林赛·格朗 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N25/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及与垂直晶体管组合的垂直溢流漏极。图像传感器像素包含：光电二极管，其安置在半导体材料中以响应于入射在所述半导体材料的背侧上的光而产生图像电荷；以及钉扎层，其安置在所述半导体材料中并耦合到所述光电二极管。所述像素还包含垂直溢流漏极，其安置在所述半导体材料中并且耦合到所述钉扎层，使得所述钉扎层安置在所述垂直溢流漏极与所述光电二极管之间。浮动扩散部靠近所述光电二极管安置在所述半导体材料中，及垂直转移晶体管部分安置在所述半导体材料中并且耦合到所述光电二极管，以响应于施加到所述垂直转移晶体管的所述栅极端子的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 组合 溢流 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器像素，其包括：/n光电二极管，其安置在半导体材料中以响应入射在所述半导体材料背侧的光而产生图像电荷；/n钉扎层，其安置在所述半导体材料中并耦合到所述光电二极管；/n垂直溢流漏极，其安置在所述半导体材料中并耦合到所述钉扎层，使得所述钉扎层安置在所述垂直溢流漏极与所述光电二极管之间；/n浮动扩散部，其靠近所述光电二极管安置在所述半导体材料中；及/n垂直转移晶体管，其部分安置在所述半导体材料中并且耦合到所述光电二极管，以响应于施加到所述垂直转移晶体管的所述栅极端子的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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