[发明专利]有机薄膜晶体管型传感像素电路及微阵列芯片有效
申请号: | 201910402350.3 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110137204B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 唐伟;郭小军;樊嘉丽;黄钰坤 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L27/30 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 200030 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及传感技术领域,尤其涉及一种有机薄膜晶体管型传感像素电路及微阵列芯片。所述有机薄膜晶体管型传感像素电路包括像素单元,所述像素单元包括:衬底;同层设置的第一底栅电极和第二底栅电极;覆盖所述第一底栅电极和第二底栅电极的底栅绝缘层;同层设置的第一源极、公共电极、第二源极,且所述公共电极位于所述第一源极与所述第二源极之间;第一有机半导体层;第二有机半导体层;覆盖所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的顶栅绝缘层,且所述顶栅绝缘层的电容值大于所述底栅绝缘层;同层设置于的第一顶栅电极和第二顶栅电极。本发明不仅便于调控有机薄膜晶体管的阈值电压,而且有利于提升传感微阵列中传感器的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 传感 像素 电路 阵列 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管型传感像素电路,其特征在于,包括像素单元,所述像素单元包括:衬底;同层设置于所述衬底表面的第一底栅电极和第二底栅电极;覆盖所述第一底栅电极和第二底栅电极的底栅绝缘层;同层设置于所述底栅绝缘层表面的第一源极、公共电极、第二源极,且所述公共电极位于所述第一源极与所述第二源极之间;覆盖所述第一源极、部分所述公共电极以及所述第一源极与所述公共电极之间的底栅绝缘层的第一有机半导体层;覆盖所述第二源极、部分所述公共电极以及所述第二源极与所述公共电极之间的底栅绝缘层的第二有机半导体层;覆盖所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的顶栅绝缘层,且所述顶栅绝缘层的电容值大于所述底栅绝缘层的电容值;同层设置于所述顶栅绝缘层表面的第一顶栅电极和第二顶栅电极,以形成电连接的开关晶体管和传感晶体管,所述开关晶体管包括所述第一底栅电极、所述第一源极、所述公共电极、所述第一有机半导体层和所述第一顶栅电极,所述传感晶体管包括所述第二底栅电极、所述第二源极、所述公共电极、所述第二有机半导体层和所述第二顶栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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