[发明专利]有机薄膜晶体管型传感像素电路及微阵列芯片有效

专利信息
申请号: 201910402350.3 申请日: 2019-05-15
公开(公告)号: CN110137204B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 唐伟;郭小军;樊嘉丽;黄钰坤 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L27/28 分类号: H01L27/28;H01L27/30
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 200030 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及传感技术领域,尤其涉及一种有机薄膜晶体管型传感像素电路及微阵列芯片。所述有机薄膜晶体管型传感像素电路包括像素单元,所述像素单元包括:衬底;同层设置的第一底栅电极和第二底栅电极;覆盖所述第一底栅电极和第二底栅电极的底栅绝缘层;同层设置的第一源极、公共电极、第二源极,且所述公共电极位于所述第一源极与所述第二源极之间;第一有机半导体层;第二有机半导体层;覆盖所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的顶栅绝缘层,且所述顶栅绝缘层的电容值大于所述底栅绝缘层;同层设置于的第一顶栅电极和第二顶栅电极。本发明不仅便于调控有机薄膜晶体管的阈值电压,而且有利于提升传感微阵列中传感器的灵敏度。
搜索关键词: 有机 薄膜晶体管 传感 像素 电路 阵列 芯片
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管型传感像素电路,其特征在于,包括像素单元,所述像素单元包括:衬底;同层设置于所述衬底表面的第一底栅电极和第二底栅电极;覆盖所述第一底栅电极和第二底栅电极的底栅绝缘层;同层设置于所述底栅绝缘层表面的第一源极、公共电极、第二源极,且所述公共电极位于所述第一源极与所述第二源极之间;覆盖所述第一源极、部分所述公共电极以及所述第一源极与所述公共电极之间的底栅绝缘层的第一有机半导体层;覆盖所述第二源极、部分所述公共电极以及所述第二源极与所述公共电极之间的底栅绝缘层的第二有机半导体层;覆盖所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的顶栅绝缘层,且所述顶栅绝缘层的电容值大于所述底栅绝缘层的电容值;同层设置于所述顶栅绝缘层表面的第一顶栅电极和第二顶栅电极,以形成电连接的开关晶体管和传感晶体管,所述开关晶体管包括所述第一底栅电极、所述第一源极、所述公共电极、所述第一有机半导体层和所述第一顶栅电极,所述传感晶体管包括所述第二底栅电极、所述第二源极、所述公共电极、所述第二有机半导体层和所述第二顶栅电极。
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