[发明专利]提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法在审
申请号: | 201910402705.9 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110098117A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 何昆哲 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法,提高晶圆抛光平坦度的方法包括:提供若干个来料晶圆;对来料晶圆按照预设参数进行分组,以形成若干个预设抛光组,各预设抛光组中的各个来料晶圆的预设参数的数值的差异在预设波动范围之内;分别对每一组预设抛光组中的来料晶圆进行抛光。本发明在抛光加工前对来料进行一定规则的分选分组分档,控制一起抛光加工的硅片,使得其差异性较低,使得加工时对硅片影响小,可以获得更好的硅片平坦度,实现硅片与抛光加工更好的匹配,分组分档的预设参数可以基于几何测量获得,可以是硅片加工过程中的几何测量步骤,获取方式简便,可以简便有效的提高晶圆抛光平坦度,节约成本及工艺周期。 | ||
搜索关键词: | 平坦度 晶圆抛光 硅片 晶圆 预设 硅片加工 抛光加工 预设参数 抛光组 几何测量 分组 分档 工艺周期 获取方式 抛光 差异性 分选 匹配 节约 加工 | ||
【主权项】:
1.一种提高晶圆抛光平坦度的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:提供若干个来料晶圆;对所述来料晶圆按照预设参数进行分组,以形成若干个预设抛光组,其中,各所述预设抛光组中的各个所述来料晶圆的所述预设参数的数值的差异在预设波动范围之内;及分别对每一组所述预设抛光组中的所述来料晶圆进行抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造