[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201910402964.1 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110517987A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 大前卷子 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 乔婉;于靖帅<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，即使在基板的上表面上形成有非粘接性树脂层的情况下，也能够粘贴保护带。该晶片的加工方法将在基板(10)的上表面上包覆有非粘接性树脂层(16)并且通过分割预定线(12)划分出多个器件(14)的晶片(W)分割成各个器件(14)，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：非粘接性破坏工序，对非粘接性树脂层(16)的正面照射紫外线(UV)而将正面的非粘接性破坏；保护带粘贴工序，在非粘接性已被破坏的非粘接性树脂层(16)的正面上粘贴保护带(30)；以及分割工序，将切削刀具(43)定位于晶片(W)的分割预定线(12)，一边提供切削水(WT)一边对分割预定线(12)进行切削而将晶片(W)分割成各个器件(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 非粘接性树脂 分割预定线 保护带 粘接性 粘贴 上表面 切削 基板 分割 加工 多个器件 切削刀具 紫外线 包覆 照射 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，将在基板的上表面上包覆有非粘接性树脂层并且通过分割预定线划分出多个器件的晶片分割成各个器件，其中，/n该晶片的加工方法至少包含如下的工序：/n非粘接性破坏工序，对非粘接性树脂层的正面照射紫外线，将正面的非粘接性破坏；/n保护带粘贴工序，在非粘接性已被破坏的非粘接性树脂层的正面上粘贴保护带；以及/n分割工序，将切削刀具定位于晶片的分割预定线，一边提供切削水一边对分割预定线进行切削而将晶片分割成各个器件。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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