[发明专利]一种外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201910403135.5 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110106550A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李佳;芦伟立;郭艳敏;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种外延片的制备方法。所述制备方法包括：将包含预设原子的衬底置于反应腔内；在包含预设原子的衬底上生长多层外延层，获得外延片；其中，在生长至少一层外延层时，所述反应腔内的温度为预设温度，所述衬底中的预设原子在预设温度下扩散到外延层中，所述预设温度为900‑2200℃。本申请采用包含预设原子的衬底，且通过控制在生长过程中反应腔的温度，使得预设的原子在外延时能扩散到外延材料中，解决在氮化镓外延生长过程如何有效降低背景载流子的浓度和在碳化硅外延生长中载流子寿命短的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 预设 衬底 反应腔 外延片 制备 生长过程 外延层 生长 载流子 半导体技术领域 氮化镓外延 多层外延层 碳化硅外延 载流子寿命 扩散 外延材料 申请 | ||
【主权项】：
1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括：将包含预设原子的衬底置于反应腔内；在包含预设原子的衬底上生长多层外延层，获得外延片；其中，在生长至少一层外延层时，所述反应腔内的温度为预设温度，所述衬底中的预设原子在预设温度下扩散到外延层中，所述预设温度为900‑2200℃。
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