[发明专利]一种高性能二氧化硅的制备工艺有效
| 申请号： | 201910403319.1 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110104655B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 武晓旭 | 申请（专利权）人： | 福建省馨和纳米硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/193 | 分类号： | C01B33/193 |
| 代理公司： | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人： | 王小穗 |
| 地址： | 353200 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米粉体材料技术领域，涉及一种高性能二氧化硅的制备工艺。本发明采用多种改性剂对二氧化硅进行表面改性，改性后的粉体包裹性非常好，在应用中，粉体和改性剂不会分离，大大提高了在应用中的使用效果，打破了传统干法处理产量低的瓶颈，降低了人工成本，实现了大规模的生产，大大提高了工作效率，并且通过调整改性剂的搭配使用，可以合成出具有多种复合表面官能团的高分散二氧化硅，满足不同工业生产需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 二氧化硅 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种高性能二氧化硅的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：向合成釜内加入5～10体积的水玻璃溶液，常温下，开启搅拌，加入1体积的体积浓度为10％的酸，加酸速率为800～1500L/h；步骤二：将步骤一制得的浆料升温至60～100℃，恒温老化1～3小时后，洗涤；步骤三：在步骤二洗涤期间，将质量百分比为50％～65％的改性剂加入反应釜中，设定温度100～130℃，待用；步骤四：将步骤二洗涤好的物料送入离心干燥系统，干燥系统温度为300～400℃；同时，开启压力式雾化器，将步骤三中配好的改性剂，喷入干燥塔中，得高性能二氧化硅。
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