[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201910403541.1 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110098262B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 周晓梁;邵阳;徐琳;刘如胜;袁波;朱晖 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 张海英 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置，薄膜晶体管包括衬底；位于衬底上的有源层和栅极，有源层包括沟道区以及位于沟道区两侧的源区和漏区；位于有源层远离栅极一侧的载流子注入结构，构成载流子注入结构的材料为导体材料；载流子注入结构与有源层的沟道区形成肖特基接触，载流子注入结构用于向有源层的沟道区注入与源区或漏区的掺杂载流子类型相反的载流子。通过本发明的技术方案，有效降低了薄膜晶体管有源层沟道区的残留载流子的浓度，改善了沟道区的残留载流子影响薄膜晶体管的迟滞特性和可靠性的问题，优化了显示面板的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的有源层和栅极，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源区和漏区；位于所述有源层远离所述栅极一侧的载流子注入结构，构成所述载流子注入结构的材料为导体材料；所述载流子注入结构与所述有源层的沟道区形成肖特基接触，所述载流子注入结构用于向所述有源层的沟道区注入与所述源区或漏区的掺杂载流子类型相反的载流子。
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