[发明专利]一种双层纳米孔的制造方法有效
| 申请号： | 201910403548.3 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110272018B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 袁志山;雷鑫;王成勇 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C12Q1/6869 | 分类号： | C12Q1/6869;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及微纳器件制备的技术领域，更具体地，涉及一种双层纳米孔的制造方法，包括以下步骤：S10.提供三层纳米薄膜样品，三层纳米薄膜结构包括自上而下设置的第一纳米薄膜、第二纳米薄膜以及第三纳米薄膜；S20.对三层纳米薄膜结构采用离子束刻蚀出三层纳米通孔；S30.对经S20刻蚀的三层纳米薄膜结构对中间层进行各向同性刻蚀；S40.对经S30处理的三层纳米薄膜结构进行加热，第一纳米薄膜和第三纳米薄膜同时缩孔，直至获得所需孔径的双层纳米孔。本发明在离子束刻蚀纳米孔后高温加热实现缩孔，能够制造与DNA等单分子直径相当直径的纳米孔，克服了大部分聚焦离子束无法直接制造直径20nm以下的纳米孔的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 纳米 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双层纳米孔的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S10.提供三层纳米薄膜样品，三层纳米薄膜结构包括自上而下设置的第一纳米薄膜、第二纳米薄膜以及第三纳米薄膜；S20.对步骤S10中所述三层纳米薄膜结构采用离子束刻蚀出三层纳米通孔；S30.对经步骤S20刻蚀的三层纳米薄膜结构对中间层进行各向同性刻蚀；S40.对经步骤S30处理的三层纳米薄膜结构进行加热，第一纳米薄膜和第三纳米薄膜同时缩孔，直至获得所需孔径的双层纳米孔。
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