[发明专利]复合型二氧化钛薄膜及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910403620.2 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110112369A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 俞兆喆;魏堃;程燕;杨道国;徐华蕊;蔡苗;朱归胜;颜东亮 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/1391 | 分类号： | H01M4/1391;H01M4/04;H01M4/131;H01M4/36;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525;H01G11/86;H01G11/46 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 541000 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种复合型二氧化钛薄膜及其制备方法与应用。所述复合型二氧化钛薄膜的制备方法包括的步骤有：将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型二氧化钛薄膜。本发明复合型二氧化钛薄膜的制备方法将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型二氧化钛薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型二氧化钛薄膜化学性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化钛薄膜 制备 密度贡献 二氧化钛靶材 主体元素 共溅射 靶材 生长 固体电解质膜 结构稳定性 化学性能 界面电阻 体积变化 不可逆 电解液 副反应 锂离子 脱出 沉积 嵌入 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种复合型二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型二氧化钛薄膜。
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