[发明专利]一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路

摘要

本发明提供了一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，属于电力电子开关器件驱动电路技术领域。其技术方案为：一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，包括推挽电路和电容辅助电路，推挽电路和电容辅助电路连接在主电路上构成完整的工作电路；所述主电路由连接在同一桥臂上的上下两个SiC MOSFET开关管组成。本发明的有益效果为：本发明可以在不减慢两SiC MOSFET开关管的开通和关断速度的前提下，有效降低了由同一桥臂上下两SiC MOSFET开关管相互产生的串扰电压，并且有效减小了两SiC MOSFET开关管驱动输出电压在开关过程中的震荡。

主权项

1.一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，其特征在于，包括推挽电路、电容辅助电路，所述推挽电路和电容辅助电路连接在主电路上构成完整的工作电路，所述主电路由连接在同一桥臂上的上下两个SiC MOSFET开关管构成；在控制器的两控制信号输出端分别连接于两个光耦芯片输入端，两所述光耦芯片的输出端分别连接所述两推挽电路和所述两电容辅助电路的控制信号输入端，所述两推挽电路的两输出端分别与所述主电路的同一桥臂上的两个SiC MOSFET开关管的栅极连接，所述两推挽电路的输入端分别接两隔离电源芯片的+20V和‑5V输出管脚；两所述光耦芯片信号输出端分别连接在所述电容辅助电路中两组三极管的基极，所述电容辅助电路中两组三极管的集电极分别通过两组辅助电容与所述主电路的同一桥臂上两个SiC MOSFET开关管的源极相连接；两组所述三极管的发射极分别连接到所述主电路的同一桥臂上下两SiC MOSFET开关管的栅极，两组所述三极管的发射极和集电极之间分别反并联两组二极管，所述同一桥臂上下两SiC MOSFET的源极分别接两隔离电源芯片的0V输出管脚。