[发明专利]闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形

摘要

本发明涉及一种闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形，涉及半导体集成电路，通过在闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形中设计位于半导体衬底上的连接有源区和场氧的源区行线以及源区行线的断开结构，构成由源端通孔、源区行线和连接金属层形成电连接通路，以构成源端通孔电阻测试结构，从而真实模拟了闪存单元包括AA/CG/SAS/CT/M1的复杂结构，因此能更加准确的监控闪存单元上源端通孔的电阻。

主权项

1.一种闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于，包括：多个第一有源区和多列第二有源区，第一有源区和第二有源区间隔排列，第一有源区和第二有源区通过场氧隔离衬底而形成，并多个第一有源区和多列第二有源区呈条形结构排列在衬底中，每列第二有源区的两端设置有源端通孔；多个多晶硅行，多晶硅行由同一行的各闪存单元的多晶硅控制栅连接而成，多晶硅行与多个第一有源区和多列第二有源区相交叠的区域为闪存单元的栅极结构区域；多晶硅行两侧的第一有源区和第二有源区上分别形成源区和漏区，源区和漏区分别被相邻的两个多晶硅行共用；至少一源区行线，同一行的多个源区通过源区行线连接起来，并通过源端通孔连接到对应的正面金属层上，其中源区行线形成于半导体衬底中，且一个源区行线被相邻的第二有源区划分成多个源区行线段，且相邻的两个源区行线段中的一个源区行线段为电连接结构，另一个源区行线段被断开而形成电断路结构，被断开的源区行线段的对应正面形成有连接金属层，连接金属层的两端分别连接相邻两列的第二有源区上的位于同一行的两个源端通孔，而使相邻两列的第二有源区上的位于同一行的两个源端通孔通过连接金属层形成电连接；一高端测试端口，连接一第二有源区上的一源端通孔，连接该高端测试端口的源端通孔与相邻一列的第二有源区上的同一行的源端通孔通过形成电连接的源区行线段电连接；以及一低端测试端口，连接一第二有源区上的一源端通孔，且该高端测试端口与该低端测试端口通过源端通孔、源区行线和连接金属层形成电连接通路。